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SK海力士Q4导入量产72层3D-NAND,在美申请存储器专利数位居第一

发布时间:2017-11-21 13:23:53  来源于:天天IC 作者:  浏览:


据集邦咨询半导体研究中心( DRAMeXchange )最新报告显示,SK海力士第四季度将 72 层 3D-NAND 导入量产,成为 2018 年的成长主力。同时,其在美国申请的存储器专利件数为 2,594 件,领跑这一领域专利榜单。

集邦咨询半导体研究中心( DRAMeXchange )报道显示,第三季受惠于传统旺季效应、iPhone 8/X 新机以及中国品牌手机需求等主要动能带领,第三季SK海力士营收达到 15 亿美元,相较前一季成长高达 15.4%。观察未来产能规划,SK海力士继续专注在 48/72 层 3D-NAND 产能的扩张当中,并在第四季将 72 层 3D-NAND 导入量产,成为 2018 年的成长主力。

此外,三星在第三季得益于服务器端及智能手机厂商发表新旗舰机,营收更较前季成长 19.5%,来到 56.2 亿美元。从制程及产能分析,三星 64 层 NAND Flash 自第三季开始量产以来,已经开始应用在移动终端需求及 SSD 上,并将逐渐扩大应用产品,预期整体 3D-NAND 的投片比重在年底将突破 50%。

值得观察的是,三星内部正在检讨 NAND Flash 持续扩张与DRAM产能分配的必要性,并考虑将部分平泽厂二楼的空间挪作生产 DRAM 用,这将可能使得 NAND Flash 未来更容易回归到供不应求的市场状况,有利于三星未来的市场策略。

然而,在美国申请专利数方面,韩国厂商也是遥遥领先。据韩国专利厅( KIPO )统计结果显示,2011——2015年,在美国申请的存储器设计、制造、封装技术专利总计有 5.8838 万件,其中SK海力士以 2,594 件,三星电子以 2,566 件分居前两名,两者合计比例达8.8%。其次依次是东芝( 2,289 件)、美光( 2,120 件)、IBM( 1,977 件)、西部数据( 1,289 件)、英特尔( 1,008 件)。

韩国专利厅表示,韩国厂商抢先申请堆叠结构的 3D DRAM 与 3D NAND Flash 专利,因此带动全球存储器市场变化。

据悉,2011 年,上述 7 家厂商在美国申请的存储器专利件数为 417 件,之后每年稳定成长,2015 年达到 4,151 件。主要原因在于随着固态硬盘(SSD)逐步取代一般硬盘(HDD),业界厂商开始集中在 NAND Flash 领域申请大量专利。


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